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Datos del producto:
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Temperatura de almacenamiento: | -30 +70 al C | Temperatura de funcionamiento del caso: | 10 50 al C |
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Humedad relativa, no-condensada: | el 5% al 85% | Voltaje de fuente de alimentación reverso: | 5.7V |
Corriente delantera continua máxima: | 5.5A | Exposición del ESD (modelo del cuerpo humano): | 500V1 |
Lugar del origen:: | China | Marca:: | XINLAND |
Alta luz: | 808nm fibra infrarroja Mini Laser Diode,Mini Laser Diode infrarrojo,diodo láser infrarrojo 808nm |
Espec.:
Longitud de onda: 830nm (±5nm)
De potencia de salida: 1000mw
Tamaño de cuerpo: 25x67m m
Vol.: 3.6~4.2V
Actual: 1.1A
Temperatura de almacenamiento: 0ºC~50ºC
Temperatura de funcionamiento: 0ºC~40ºC
Tiempo de la vida: 8000hours
Características de producto:
fibra con varios modos de funcionamiento del 808nm juntada
Eficacia alta del , 50%@25°C
Conector del SMA905
Empaquetado robusto del
Usos:
proyección de imagen 3D
Laser Illumincation
Usos médicos
Uso militar
módulo juntado fibra del laser del diodo de 808nm~810nm 4W~4.5W con la fibra con varios modos de funcionamiento 105um | módulo del laser del diodo de 808nm 4W para médico |paquete 2-Pin| base de la fibra 105um| Poder más elevado LD XL808-004-M-H2
Parámetro | Grado |
Temperatura de almacenamiento | -30 a +70°C |
Temperatura de funcionamiento del caso | 10 a 50°C |
Humedad relativa, no-condensada | el 5% al 85% |
Voltaje de fuente de alimentación reverso | 5.7V |
Corriente delantera continua máxima | 5.5A |
Exposición del ESD (modelo del cuerpo humano) | 500V1 |
Aviso
Las tensiones mayores que ésas enumeradas bajo “grados máximos absolutos” pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es un grado de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo en éstos o de cualquier otra condición sobre ésos indicó en las operaciones que la sección por periodos de tiempo extendidos puede afectar a confiabilidad.
El diseño inherente de este componente lo hace ser sensible a la descarga electrostática (ESD). Para prevenir daño y/o la degradación ESD-inducidos al equipo, tome las precauciones normales del ESD al manejar este producto
Características electrópticas (top 25 DEG C salvo que se indique lo contrario)
Características del laser | Símbolo | Mínimo | Típico | Máximo |
Laser de potencia de salida (CW) | Po | 12W | - | - |
Longitud de onda del centro de figura | l | - | 808nm | - |
Actual de funcionamiento | IOP | - | 5.2A | - |
Corriente del umbral | Ith | - | 0.8A | - |
Voltaje delantero | Vf | - | 5.7V | - |
Anchura espectral (FWHM) | DL | - | 5nm | - |
Temperatura de la prueba (caso) | TCase | - | 25OC | - |
Eficacia de conversión | % | - | 46 | - |
Características de la fibra | ||||
Diámetro de base de la fibra | dCore | - | 200um | - |
Diámetro del revestimiento de la fibra | dClad | - | 220um | - |
Diámetro del almacenador intermediario | dBuf | - | 320um | - |
Abertura numérica | NA | - | 0,22 | - |
Longitud de la fibra | L | los 0.9m | el 1m | - |
Radio de curva | RBend | 60m m | el 1.1m |
Parámetro técnico
Mínimo. | Tipo | Máximo. | |
Longitud de onda central (@25 DEG C) | +-3nm | 808nm | +-10nm |
Anchura espectral (FWHM) | ----- | 2.5nm | ----- |
De potencia de salida | ------ | 1w | ------ |
Temperatura de funcionamiento recomendada | 25 DEG C | ||
Coeficiente de temperatura de la longitud de onda | ------- | 0.3nm/deg.c | ------- |
Eficacia de la cuesta | -------- | 1.1w/A | ------ |
Corriente del umbral (tipo.) | -------- | 0.2A | ------ |
Actual de funcionamiento (tipo.) | -------- | 1,2 A | ------- |
Voltaje de funcionamiento | -------- | 2.2V | -------- |
Estilo del paquete | TO-5 |
Persona de Contacto: Mrs. Nica Chow
Teléfono: +86-13991354371
Fax: 86-29-81323155